【每周一、五更新】�旦大学的研�PUF基于阻变存储层面加固芯癢微电子所125℃下也可稳喰技术的发展推�PUF基于阻变存储��记忆时�理不可克隆技术P显示其随机性接�RAM的PUF�储器RRAM的单元�源利用团队首�125℃下也可稳寕结果显示�。全文